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Wei, P.; Xu, Y.; 永田 晋二*; 鳴海 一雅; 楢本 洋
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 206(1-4), p.233 - 236, 2003/05
被引用回数：6 パーセンタイル：43.05(Instruments & Instrumentation)互いに固溶しない組合せとして、炭素イオンを注入により非晶質化したGe単結晶((100)と(110))について、その熱処理による結晶化過程を、イオンビーム解析法(ラザフォード後方散乱分光法、イオンチャネリング法、及び核反応法)、ラマン分後法及び原子間力顕微鏡法により調べた。いずれの注入条件でも非晶質になるものの、その回復挙動は、イオン注入時の入射角に敏感であることを見出した。すなわち、斜入射の条件でCイオン注入したGeでは、450度までの熱処理により結晶化するとともに、注入された炭素原子は表面に拡散・析出してナノ黒鉛を形成した。一方垂直入射の場合には熱回復の挙動は異なり、注入された炭素と照射欠陥の分布変化及び回復は観測されなかった。これらの結果は、イオン注入時に生ずる欠陥密度と拡散に影響する歪勾配が関係している。
八巻 徹也; 梅林 励; 住田 泰史*; 山本 春也; 前川 雅樹; 河裾 厚男; 伊藤 久義
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 206(1-4), p.254 - 258, 2003/05
被引用回数：136 パーセンタイル：98.9(Instruments & Instrumentation)二酸化チタン(TiO
)単結晶に1
10
から110
ions cm
の200eV F
を注入し、1200
までの等時アニールを各ステップ5時間ずつ行った。アニールに伴う照射損傷の回復過程については、ラザフォード後方散乱/チャネリング解析とエネルギー可変ビームを用いた陽電子消滅測定で調べた。1200でアニールすると、空孔型欠陥の外方拡散によって結晶性が完全に回復した。二次イオン質量分析によれば、本試料は深部から表面へ向かって増大するような不純物濃度プロファイルを有していた。密度汎関数理論に基づいたバンド構造計算を行った結果、FドープはTiOの伝導帯の下端付近にわずかな変化を及ぼし、これによりバンドギャップ制御が可能であることを明らかにした。
工藤 博*; 熊木 卓*; 春山 克広*; 塚本 芳明*; 関 整爾*; 楢本 洋
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 174(4), p.512 - 518, 2001/05
被引用回数：1 パーセンタイル：12.96(Instruments & Instrumentation)7MeV Hを曲げ変形したKCl及びNaClに入射し、チャネリング条件の前後で、2次電子放出量の角度依存性から、結晶格子の傾き角(歪)を再評価した。この測定で、これらアルカリハライドの塑性変形時には刃状転位が空間的に規則配列することを例示することができた。
楢本 洋; 山本 春也; 鳴海 一雅
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 161-163, p.534 - 538, 2000/03
被引用回数：1 パーセンタイル：20.04(Instruments & Instrumentation)ヘテロエピタキシャル結晶成長の初期過程を調べるため、互に固溶しない2つの系で(Cu,Nb; C,Ir)、イオン注入・及びイオンビーム解析を低温で行った。デュアルビーム解析システムを用いて、30~60Kの温度領域でCuイオンをNbに注入したり、CイオンをIrに注入した。基板にはいずれも高品質の単結晶薄膜を用い、注入元素の結晶学的存在状態を、ラザフォード散乱法と組み合せたチャネリング解析(Cu→Nb系)及びラザフォード散乱/核反応(
C(d,p)
C)と組み合せたチャネリング解析(C→Ir)により調べた。その結果、(1)注入させたCuはNb中を低温でも拡散して表面に集積して、ヘテロエピタキシャル成長することを見いだした。ただし、このCu格子は立方晶からずれている可能性が高い。(2)注入されたCは、Ir中で
100
方向に沿って整列していること、及びCH
を注入した場合にはIrに存在し得ないことを見いだした。これらの成果について討論する。
森田 健治*; 石川 大*; 柚原 淳司*; 中村 大輔*; 曽田 一雄*; 山本 春也; 鳴海 一雅; 楢本 洋; 斉藤 和雄*
JAERI-Review 99-025, TIARA Annual Report 1998, p.179 - 181, 1999/10
イオン注入と化学エッチングにより作成したSi(111)自己支持薄膜に、Au及びAgを1原子層程度蒸着後、6MeV 
Liイオン等を入射させ、透過チャネリング解析を行った。その結果、以下の結論を得た。(1)Au原子は、Si(111)原子列から0.83
離れた位置にあり、Si(111)-2
2 (Au, Ag)構造をとっている可能性が高い。(2)Ag原子については、2つの可能性がある。1つはチャネリング軸の中心であり、もう一方は軸からずれた成分である。しかしその割合等は、本実験だけでは決定できない。
青木 康; 山本 春也; 竹下 英文; 楢本 洋
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 136-138, p.400 - 403, 1998/00
被引用回数：7 パーセンタイル：53.73(Instruments & Instrumentation)二酸化チタンにニオブをドープすることにより、二酸化チタンの電気特性(半導体特性)を制御することが可能であると考えられている。本研究ではニオブのドープ法としてイオン注入法を用い、室温・低温注入を施した後、大気中で焼鈍を行った。ニオブ注入中及び焼鈍過程における二酸化チタン表面注入層の微視的構造をRBS/チャンネリング法を用いて解析し、注入後ある程度結晶性を維持している場合は1段階の焼鈍過程(500
C)で結晶が回復し、アモルファス状態からの回復では3段階の焼鈍過程が存在することを明らかにした。結晶が回復した後の状態ではニオブ原子は、Ti格子位置に置換し、二酸化チタン表面層に均一に分布することが分かった。さらに置換したニオブは二酸化チタン中でNbO-TiO型の固溶体を形成していることを明らかにした。
工藤 博*; 坂本 昭彦*; 山本 春也; 青木 康; 楢本 洋; 井上 知泰*; 佐藤 政孝*; 山本 康博*; 梅澤 憲司*; 関 整爾*
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 35(11B), p.L1538 - L1541, 1996/11
イオンチャネリング現象がはじまる表面層での、単一散乱条件下での2次電子を検出すると、準表面層の原子配列を高感度に評価可能であることを示している。2次電子は、keVオーダーの内殻に属するものを検出して原子配列の情報とした。実例を示すために、Ni及びCeO単結晶について通常のRBS法の場合と対比した。
D crystals山口 貞衛*; 高広 克己*; 藤野 豐*; 楢本 洋; 小沢 国夫*
Journal of Alloys and Compounds, 231, p.132 - 137, 1995/00
被引用回数：4 パーセンタイル：42.19(Chemistry, Physical)VD単結晶中のD原子の結晶学的占有位置を、D(
He,p)
He核反応とチャネリングを組合せたイオンビーム解析法により調べた。特に温度をパラメータにした実験から、406K以上の
相では四面体格子位置を、406K以下の
相では八面体格子位置を占有することを明らかにした。八面体格子位置に関しては、軸及び面チャネリング実験からチャネリング臨界角を求めて平均密度分布を求めた結果、[100]方向ではかなり広がった分布を持つことを明らかにした。これらの成果について、上記国際会議で報告する。
工藤 博*; 福生 太郎*; 石原 豊之*; 竹下 英文; 青木 康; 山本 春也; 楢本 洋
Physical Review A, 50(5), p.4049 - 4056, 1994/11
被引用回数：6 パーセンタイル：44.17(Optics)Si結晶を用いて、〈100〉及び〈110〉結晶軸にほぼ平行に2.5及び3.5MeV/uのイオンを入射させ、2次的に生成するkeV領域の電子の分光測定を行った。同一速度のイオンについて、2次電子収量の比較を行い、原子列と斜入射衝突するイオンの荷電状態を決定した。その結果、He
、C
、O
等の比較的軽いイオンは標的原子からは電子を捕獲しないが、Si、S、Cl等の重いイオンになると入射時の荷電状態によって、電子を失ったり、あるいは捕獲したりする複雑な挙動も示すことが明らかとなった。
工藤 博*; 島 邦博*; 石原 豊之*; 竹下 英文; 青木 康; 山本 春也; 楢本 洋
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 90, p.533 - 536, 1994/00
チャネリング条件下でMeV/u領域のイオンと結合電子との2体衝突過程で生成される2次電子の分光測定により、イオン・固体相互作用に関係する興味ある結果を得たので以下の項目に係わる報告を行う。1)単結晶中の化学結合に関係する電子の実空間での分布。2)固体中を運動する高速重イオンの遮蔽効果。3)イオンのシャドウイング・パターンの可視化。4)表面数10
層の格子不整の解析。
楢本 洋
Proceedings of the International Conference on Evolution in Beam Applications, p.138 - 142, 1992/00
MeV領域のイオンが材料に入射した時に生ずる弾性散乱、内殻電子励起、選択的核反応等の過程を複合的に利用する事により、通常の方法では不可能な多元素系材料の構造解析が可能になる。本発表では、主として日本原子力研究所で行ってきた金属単結晶中の水素同位体と格子欠陥の相互作用、水素同位体の結晶内占有位置に対する溶質原子の影響等に対するチャネリング解析の結果を中心に議論を展開する。
木村 英雄; 宗像 雅広
Journal of Nuclear Science and Technology, 28(12), p.1115 - 1127, 1991/12
放射線核種地中移行計算モデルの国際実証研究(INTRAVAL)計画の設問2についての解析を行った。本設問は、単一亀裂を有する花崗岩コアサンプルを用いた室内トレーサー実験に関するもので、計算手段として亀裂幅が等厚な平行平板モデル及び亀裂幅から場所ごとに異なるVariable aperture modelの2つを用いた。非吸着性トレーサー実験を解析した結果、注入流量と平行平板モデルで求められた流束との間には線形性がないことがわかった。また、吸着性トレーサー実験の解析結果から、平行平板モデルよりキャリブレートされたマトリックス遅延係数はvariable aperture modelによりキャリブレートされた値より約2倍大きい値が得られた。これは、もし遅延係数が同じであるならば、variable aperture modelは平行平板モデルよりも安全側の結果を与えることを意味する。
西田 雄彦; 出井 数彦; 古野 茂実
Radiat.Eff., 34, p.217 - 222, 1977/00
ゲルマニウム結晶を電子ビームで照射する時、内部に構成される電流密度の三次元的な分布が、電子回折多波理論により詳細に計算された。 ここでは代表的な結晶軸方向に電子が入射した場合を扱い、それに垂直な面上では分布のパターン自体が入射方向にある周期で振動することが分った。 結晶中での電流密度の局在が欠陥生成に及ぼす影響を議論するために「effective current ratio」Jeffなる量を導入する。ここでJeffは、原子列近傍の電流密度と平均電流密度の比として定義され、代表的な結晶方位では110、111、100の順に増加していることが見出された。 又その入射エネルギー依存性について100方向について検討した。
and He ions in pyrolytic graphite岩田 忠夫; 小牧 研一郎*; 富満 広; 川面 澄; 小沢 国夫; 土井 健治
Radiat.Eff., 24(1), p.63 - 64, 1975/01
熱分解黒鉛のc軸に沿ってのHおよびHeイオンのチャンネリングを広角度のラザフォード散乱の測定により見い出した。臨界角(half angle)と最小収量(minimum yield)についての結果は次のようであった。深さ0のところの臨界角は理論とよく合ったが、臨界角の深さ依存性は他の物質で見いだされているものと異なり、深さと共に増加する傾向を示した。深さ0のところの最小収量は理論から推定されるものの2~3倍であった。
